國際碳化硅及相關(guān)材料會(huì )議ICSCRM（The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）是以碳化硅為代表的寬禁帶半導體以及相關(guān)材料、器件的產(chǎn)業(yè)與學(xué)術(shù)并重的高水平國際論壇。9月16日，ICSCRM 2022在瑞士達沃斯圓滿(mǎn)落幕，天岳先進(jìn)參加會(huì )議并就8英寸碳化硅襯底最新研發(fā)情況作出匯報。
（拉曼光譜晶型檢測報告）
襯底直徑是衡量晶體制備水平的重要指標之一，天岳先進(jìn)較早布局了8英寸產(chǎn)品的研發(fā)，是國內最早研發(fā)和布局產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)之一。目前公司8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展順利，晶型均一穩定，具有良好的結晶質(zhì)量。
有別于單晶硅等材料在生長(cháng)過(guò)程中可以擴徑的特點(diǎn)，碳化硅襯底材料的擴徑需要先制備大尺寸籽晶，并且需要對缺陷和應力分布等進(jìn)行嚴格控制。天岳先進(jìn)從籽晶入手，在粉料合成、熱場(chǎng)設計、工藝固化、過(guò)程控制、加工檢測等全流程實(shí)現技術(shù)自主可控。
公司持續加大8英寸導電型襯底產(chǎn)業(yè)化突破。在前期自主擴徑實(shí)現8英寸產(chǎn)品研發(fā)成功的基礎上，將繼續加大技術(shù)和工藝突破，并根據市場(chǎng)需求，積極布局產(chǎn)業(yè)化。
