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先進(jìn)技術(shù)引領(lǐng)發(fā)展!天岳先進(jìn)攜最新8英寸技術(shù)亮相Semicon China
2023-07-01   閱讀量:3661
      2023年6月29日,天岳先進(jìn)攜8英寸碳化硅襯底最新技術(shù)動(dòng)態(tài)亮相Semicon China展會(huì ),受到高度關(guān)注。公司CTO高超博士在同期舉辦的功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)國際論壇公開(kāi)了公司最新進(jìn)展。

公司展位備受關(guān)注


高超博士介紹公司最近技術(shù)進(jìn)展


       在產(chǎn)品方面,目前公司以6英寸導電型碳化硅襯底為主,滿(mǎn)足全球客戶(hù)的需求。產(chǎn)能上,公司上海臨港工廠(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)品交付階段,持續發(fā)力提升6英寸襯底的產(chǎn)量;晶體質(zhì)量和厚度持續提升,規?;a(chǎn)襯底質(zhì)量穩定可靠。通過(guò)自主擴徑技術(shù)制備的高品質(zhì)8英寸產(chǎn)品,目前也已經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)化能力。

高超博士介紹8英寸液相法進(jìn)展


      在技術(shù)及研發(fā)方面,一直以來(lái),公司持續保持較高的技術(shù)研發(fā)投入,積極布局前瞻性技術(shù)。做為一種有潛力的碳化硅單晶制備新技術(shù),液相法備受關(guān)注。通過(guò)液相法獲得均勻且高品質(zhì)的晶體需要對溫場(chǎng)和流場(chǎng)進(jìn)行控制,具有較高的技術(shù)難度,公司在該技術(shù)上布局多年。近日,公司采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體,通過(guò)熱場(chǎng)、溶液設計和工藝創(chuàng )新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長(cháng)界面控制和缺陷控制難題,尚屬業(yè)內首創(chuàng )。
      除了產(chǎn)品尺寸,在大尺寸單晶高效制備方面,采用公司最新技術(shù)制備的晶體厚度已突破60mm,而這對提升產(chǎn)能具有重要意義,該技術(shù)也是公司重點(diǎn)布局的技術(shù)方向之一。
      SiC半導體應用發(fā)展進(jìn)入快車(chē)道,特別是在高壓高功率領(lǐng)域優(yōu)勢更加凸顯,發(fā)展加速,新的應用場(chǎng)景不斷涌現,但最關(guān)鍵的襯底制備環(huán)節具有極高的技術(shù)門(mén)檻和較長(cháng)的擴產(chǎn)周期,加劇了供需缺口。公司繼續在產(chǎn)品尺寸、晶體厚度、襯底品質(zhì)等多維度持續加大研發(fā)和技術(shù)提升,始終保持領(lǐng)先,引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。

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